企业信息
联系方式
联系人: 移动电话: 地址:
企业新闻
抛光粉具体的性能指标
发布时间:2017年04月19日
颗粒巨细:决定了抛光精度和速率,一般用目数和均匀颗粒巨细来表征。过筛目数反应了最大颗粒的巨细,均匀粒度决定了废抛光粉颗粒巨细的全体程度。
废抛光粉
硬度:硬度大的颗粒具备较快的切削率,参加助磨剂也能够或许进步切削率。
悬浮性:高速抛光请求抛光粉具备较好的悬浮性,颗粒外形和巨细对悬浮性有较大影响,片状的抛光粉和小颗粒的抛光粉的悬浮性较好。悬浮性的进步也能够或许通过参加悬浮剂来完成。
颗粒布局:颗粒布局是团圆体颗粒照样单晶颗粒决定了抛光粉的耐磨性和流动性。团圆体颗粒在抛光进程中会破裂,从而招致耐磨性降低,单晶颗粒具备好的耐磨性和流动性。
色彩:与质料中的镨含量和温度无关,镨含量越高,抛光粉越显棕赤色。低铈抛光粉中含有大批的镨,因此显棕赤色。对纯氧化铈抛光粉,焙烧温度高,抛光粉的色彩偏白红,温度低,色彩偏浅黄。
环球的稀土抛光粉临盆总量约为2万吨,临盆厂家主要有四种范例:光学辅料公司、磨料磨具公司、稀土冶金公司、化工资料公司。此中,光学辅料公司的临盆量最小,在2000吨如下,磨料磨具行业最大,在7000吨阁下,稀土行业和化工行业各临盆5000吨。我国的稀土抛光粉的临盆量和应用量约略相称,每年临盆 1万吨阁下,此中海内自用8000吨,进口2000吨。
在半导体加工进程中,最后的半导体基片(衬底片)抛光相沿机器抛光、比方氧化镁、氧化锆抛光等,然则得到的晶片外面毁伤是及其严重的。直到60年月末,一种新的抛光技巧——化学机器抛光技巧(CMP Chemical Mechanical Polishing )代替了旧的办法。
CMP技巧综合了化学和机器抛光的上风:纯真的化学抛光,抛光速率较快,外面光洁度高,毁伤低,完善性好,但外面平整度和平行度差,抛光后外面同等性差;纯真的机器抛光外面同等性好,外面平整度高,但外面光洁度差,毁伤层深。化学机器抛光可以或许得到较为完善的外面,又可以或许得到较高的抛光速率,得到的平整度比其余办法高两个数量级,是今朝可以或许完成全局平面化的独一有用办法。
根据机器加工道理、半导体资料工程学、物力化学多相反响多相催化实践、外面工程学、半导体化学基础实践等,对硅单晶片化学机器抛光(CMP)机理、动力学节制进程和影响身分研讨表明,化学机器抛光是一个繁杂的多相反响,它存在着两个动力学进程:
(1)抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片外面的硅原子在外面停止氧化复原的动力学进程。这是化学反响的主体。
(2)抛光外面反响物离开硅单晶外面,即解吸进程使未反响的硅单晶从新暴露进去的动力学进程。它是节制抛光速率的另一个紧张进程。
硅片的化学机器抛光进程因此化学反响为主的机器抛光进程,要得到品质好的抛光片,必需使抛光进程中的化学腐化感化与机器磨削感化到达一种均衡。假如化学腐化感化大于机器抛光感化,则抛光片外面发生腐化坑、桔皮状波纹。假如机器磨削感化大于化学腐化感化,则外面发生高毁伤层。
分享到: